Gina Adam
Gina Adam a absolvit Electronica aplicată la FILS, Universitatea Politehnică din București, filiera germană, în 2010. Este prima româncă căreia i s-a acordat premiul Fulbright Science and Technology de către Departamentul de Stat al US pentru finantarea studiilor post-universitare la o institutie de invățământ din US. A abolvit Masterul și Doctoratul în 2012 și respectiv 2015 la Universitatea din California din Santa Barbara. Activitatea sa științifică din cadrul doctoratului s-a desfășurat în laboratorul Dr. Dmitri Strukov și s-a concentrat pe proiectarea, fabricarea și caracterizarea electrică a barelor transversale memristive pe bază de TiO2 cu mai multe straturi pentru aplicații neuromorfică și logică în memorie. A primit finanțarea Marie Curie Individual Fellowship din partea Comisiei Europene pentru proiectul său SelectX și s-a alăturat grupului L4 din IMT, București, România in aprilie 2016. Proiectul propune utilizarea releelor NEMS ca dispozitive selective pentru barele de transmisie memristor și urmărește simularea, fabricarea și caracterizarea unei bare transversale de tip proof-of-concept de dispozitiv memristor / NEMS integrat monolitic. Proiectul este o colaborare între grupul L4 de la IMT, România și grupul Nanolab la EPFL, Elveția.
